Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3585CDV

SI3585CDV-T1-GE3 Hakkında

SI3585CDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen tümleşik MOSFET dizisidir. N-kanallı ve P-kanallı transistörleri içeren bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ile 3.9A (N-kanallı) ve 2.1A (P-kanallı) sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. SOT-23-6 paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve entegre devre tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 58mΩ RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 1.4W, 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok