Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3552DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3552DV
SI3552DV-T1-GE3 Hakkında
SI3552DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-kanallı ve P-kanallı MOSFET'leri aynı pakette sunan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ile çalışabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle tetiklenebilir. 2.5A sürekli drain akımı ve 105mOhm RDS(on) değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve çeşitli dijital kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. SOT-23-6 Surface Mount paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.15W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok