Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3552DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3552DV
SI3552DV-T1-E3 Hakkında
SI3552DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj desteği ve 2.5A maksimum drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj kontrolü sağlar. 1V (250µA'de) threshold voltajı ile hızlı anahtarlama karakteristiği vardır. 105mOhm (10V, 2.5A'de) on-state direnci ve 3.2nC gate charge ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık desteği endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uyguntur. Surface mount SOT-23-6 paketi küçük alan gerektiren tasarımlara elverişlidir. Güç yönetimi, LED kontrolü, motor sürücüsü ve analog anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.15W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok