Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI3529DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- SI3529DV
SI3529DV-T1-GE3 Hakkında
SI3529DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source voltaj ve 2.5A sürekli drenaj akımı ile power switching ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrolü gerilimi (3V @ 250µA) ile TTL/CMOS entegreleri ile doğrudan çalıştırılabilir. 125mOhm maksimum on-state direnci ve 7nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama yapılabilmesini sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, load switching ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A, 1.95A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok