Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1988DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
SI1988DH-T1-GE3 Hakkında
SI1988DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V Vdss ve 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 168mOhm Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 6-TSSOP/SC-70-6 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ürün, maksimum 1.25W güç tüketimine sahiptir. 1V eşik voltajı ile gözlemlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 168mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok