Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1988DH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
SI1988DH-T1-E3 Hakkında
SI1988DH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 168mOhm (4.5V, 1.4A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SC70-6 surface mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve dijital lojik arayüz uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında, 1.25W maksimum güç tüketimiyle çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Düşük gate charge (4.1nC @ 8V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 168mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok