Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1972DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
SI1972DH-T1-GE3 Hakkında
SI1972DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 225mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi ve sinyal kontrolü uygulamalarında tercih edilir. SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate charge (2.8nC) özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Taşınabilir cihazlar, pil yönetimi ve analog switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok