Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1970DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
SI1970DH-T1-GE3 Hakkında
SI1970DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 1.3A sürekli drain akımı değerleriyle elektronik devrelerde anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olan bileşen, 4.5V gate geriliminde 225mOhm'luk düşük on-direnç (RDS(on)) sağlayarak verimli güç yönetimi sunar. SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu transistör, 3.8nC gate yükü ve 95pF giriş kapasitanslı özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, güç yönetimi, motor denetimi ve LED sürücü uygulamalarında tercih edilir. (NOT: Bu ürün artık üretim dışındadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok