Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1967DH-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
SI1967DH-T1-GE3 Hakkında
SI1967DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı ile çalışır. SC70-6 (SOT-363) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, düşük Rds(on) değeri (490mOhm @ 4.5V) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri, elektrik şebekesi arayüzleri ve taşınabilir cihazlar gibi kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 910mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok