Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1965DH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
SI1965DH-T1-E3 Hakkında
SI1965DH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. Logic Level Gate özelliğine sahip olması, düşük gate sürücü gerilimi gerektiren uygulamalarda kullanımı kolaylaştırır. 390mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC70-6 (SOT-363) yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı lojik seviyesi MOSFET uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok