Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1965DH-T1-BE3
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
SI1965DH-T1-BE3 Hakkında
SI1965DH-T1-BE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. SC70-6 (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulur. 12V drain-source voltaj, 1.3A sürekli dren akımı ve 390mOhm RDS(on) değeri ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışır. Düşük gate charge (4.2nC) ve kaplama elektromanyetik parazit etkilerine karşı bağışık tasarım sayesinde hassas cihazlarda sinyal anahtarlaması, ses devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Kompakt kasa boyutu mobil cihazlar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.14A (Ta), 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 740mW (Ta), 1.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok