Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1958DH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
SI1958DH-T1-E3 Hakkında
SI1958DH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile 1.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük voltaj sürücülere uyumludur. 205mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. SC70-6 (SOT-363) yüzey montajlı paketi küçük boyutlu devrelerde kullanımını mümkün kılmaktadır. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, LED kontrol devreleri, load switching ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok