Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1926DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
SI1926DL-T1-GE3 Hakkında
SI1926DL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj derecelendirilmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 370mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük empedanslı anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerine uygundur. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gatting voltajında (2.5V eşik) çalışabilir. Surface mount SOT-363 paketi ile kompakt PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 510mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 340mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok