Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
SI1926DL-T1-E3 Hakkında
SI1926DL-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. 60V Drain-Source voltaj rating ve 370mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 10V gate voltajında 1.4Ω on-resistance sunmaktadır. SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, 1.4nC gate charge ve 18.5pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, portable cihazlar, power management, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel sinyal kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 510mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 340mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok