Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1922EDH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
SI1922EDH-T1-GE3 Hakkında
SI1922EDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltajı ve 1.3A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. SOT-363 (SC-88) paketinde sunulan transistör, 198mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate charge 2.5nC olup, 1V eşik voltajında çalışmaktadır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Switch kontrol uygulamaları, sürücü devreleri, güç yönetimi ve sinyal anahtarlama gibi düşük güçlü dijital ve analog devrelerde yaygın olarak kullanılır. Surface mount montajı ile PCB tasarımında kompakt ve verimli çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok