Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1922EDH-T1-BE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
SI1922EDH-T1-BE3 Hakkında
SI1922EDH-T1-BE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 198mOhm Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount SOT-363 paketinde sunulan bu bileşen, gümrük çıkışlı ve kontrol devre tasarımlarında, PWM uygulamalarında ve genel dijital lojik sürücülü anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta), 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 740mW (Ta), 1.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok