Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1917EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
SI1917EDH-T1-E3 Hakkında
SI1917EDH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V Drain-Source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 370mOhm (4.5V, 1A'da) RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-TSSOP (SC-70-6) surface mount paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 570mW güç tüketimi özellikleri vardır. Analog anahtarlama, sinyal yönlendirme ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Küçük boyutlu paket sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir. Ürün kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 570mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok