Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1913EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
SI1913EDH-T1-E3 Hakkında
SI1913EDH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 880mA sürekli dren akımı kapasitesi ile sahip olup, logic level gate kontrolü sağlar. 4.5V gate geriliminde 490mOhm on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sunmaktadır. 6-TSSOP (SC-70-6) yüzey montaj paketinde üretilen bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve gümrük işlemleri gibi alanlarda tercih edilir. Maksimum 570mW güç tüketimi ile kompakt elektronik tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 880mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 570mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 880mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok