Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI1913DH-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1913DH

SI1913DH-T1-E3 Hakkında

SI1913DH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim ve 880mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim kontrolcülerden doğrudan sürülebilir. 490mOhm RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal yönlendirme uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 880mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 570mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 490mOhm @ 880mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok