Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1912EDH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
SI1912EDH-T1-E3 Hakkında
SI1912EDH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltajı ve 1.13A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (280mOhm @ 4.5V) ile etkin güç dağıtımı sağlar. Gate charge değeri 1nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalarda kullanılır. Surface mount SC70-6 (SOT-363) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 570mW güç tüketebilir. Düşük voltaj analog ve dijital anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.13A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 570mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1.13A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok