Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1905DL-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
SI1905DL-T1-E3 Hakkında
SI1905DL-T1-E3, Vishay tarafından üretilen çift kanal P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 8V maksimum drain-source voltajında 570mA sürekli akım sağlayabilir. SC70-6 (SOT-363) SMD pakete sahip olan bu transistör, 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışan SI1905DL, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır. 2.3nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 570mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 270mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 570mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok