Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1905BDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
SI1905BDH-T1-E3 Hakkında
SI1905BDH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponent, 8V Drain-Source voltajı ve 630mA sürekli drenaj akımı ile çalışır. 542mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC70-6 (6-TSSOP/SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve düşük güçlü sürücü devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 357mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 542mOhm @ 580mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok