Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1903DL-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
SI1903DL-T1-GE3 Hakkında
SI1903DL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V Vdss ile çalışabilir ve maksimum 410mA drain akımını destekler. SC70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj lojik devrelerinde kullanılır. 270mW maksimum güç sınırlaması ile tasarlanmış olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 995mOhm RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. Lojik seviye gatesi, standart dijital kontrollerle doğrudan entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 270mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 995mOhm @ 410mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok