Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1902DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
SI1902DL-T1-GE3 Hakkında
SI1902DL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 660mA sürekli drenaj akımı sağlayabilir. SC-70-6 paketinde sunulan bu transistör, düşük Rds(On) değeri (385mOhm) ve minimal gate charge (1.2nC) ile tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. Kompakt yapısı ve surface mount özelliği sayesinde taşınabilir cihazlar, pil yönetim devreleri, güç anahtarlaması ve sinyal kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük güç tüketimi gerektiren IoT ve embedded sistemler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 660mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok