Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1902DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
SI1902DL-T1-E3 Hakkında
SI1902DL-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltajı ve 660mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile çalıştırılabilir. 385mOhm RdsOn değeri ile minimum enerji kaybı sağlar. 6-TSSOP (SC70-6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve sinyal kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 270mW maksimum güç tüketimi ile verimli bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 660mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok