Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1902DL-T1-BE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
SI1902DL-T1-BE3 Hakkında
SI1902DL-T1-BE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile 660mA continuous drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (385mOhm @ 4.5V) ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. SC-70-6 (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan SI1902DL, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Threshold voltajı 1.5V @ 250µA ve gate charge değeri 1.2nC @ 4.5V olan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren dijital mantık seviyeleri ile uyumludur. Cep telefonu, tüketici elektroniği, pil yönetim sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 660mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok