Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1900DL-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
SI1900DL-T1-GE3 Hakkında
SI1900DL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 630mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-state resistance (Rds(on): 480mOhm) sayesinde güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. SC70-6 (SOT-363) surface mount paketinde sunulan komponent, portable cihazlar, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve entegre sistem tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Ta), 590mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW, 270mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 590mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok