Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
SI1900DL-T1-E3 Hakkında
SI1900DL-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 590mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 480mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. SC70-6 (SOT-363) paketinde sunulan SI1900DL, düşük sinyal işleme, anahtarlama devreler, portable elektronik cihazlar ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 590mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 590mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok