Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1563EDH-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
SI1563EDH-T1-GE3 Hakkında
SI1563EDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal ve P-kanal MOSFET dizisidir. 20V drain-source voltajı ile çalışan bu bileşen, 1.13A ve 880mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile 4.5V gate voltajında uygulanabilir. SC70-6 (6-TSSOP SOT-363) surface mount paketinde sunulan bu transistör, düşük Rds(On) değeri (280mOhm) sayesinde power dissipation uygulamalarında verimlidir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Mobil cihazlar, power management, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 1nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Maksimum güç dağılımı 570mW'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.13A, 880mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 570mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1.13A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok