Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1539DDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
SI1539DDL-T1-GE3 Hakkında
SI1539DDL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. SC70-6 (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltaj derecelendirilmesine sahiptir. N-channel kanala ait maksimum sürekli dren akımı 700mA, P-channel kanala ait 460mA'dir. Düşük on-resistance değerleri (N-channel 388mOhm, P-channel 1.07Ohm @ 10V Vgs) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. Gate charge karakteristikleri (1.1nC ve 1.2nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama operasyonlarına imkan tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 340mW güç tüketimi belirtilmiştir. Düşük giriş kapasitanslı (21-28pF) tasarımı, söz konusu bileşeni güç yönetimi, inverter devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel analog-dijital uygulamalarda kullanılmaya elverişli kılmaktadır. Söz konusu MPN obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Tc), 460mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 15V, 21pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 340mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok