Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1036X-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
SI1036X-T1-GE3 Hakkında
SI1036X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain to Source voltajı ile 610mA sürekli dren akımını destekler. SC89-6 (SOT-563/SOT-666) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (540mOhm @ 500mA, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Entegre analog devreler, güç yönetimi, LED sürücüleri ve motor kontrol gibi uygulamalarda kullanılır. Düşük gate charge (1.2nC @ 4.5V) ve düşük input capacitance (36pF @ 15V) özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 610mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 220mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok