Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1035X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC-89
SI1035X-T1-GE3 Hakkında
SI1035X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET dizisidir. 20V Drain-Source gerilim ile çalışan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 180mA (N-channel) ve 145mA (P-channel) sürekli dren akımı sağlar. Surface mount SC-89 (SOT-563) paketinde sunulan SI1035X, 250mW maksimum güç tüketimi ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama hızı ve verimlilik sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında, power management, LED sürücüleri ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180mA, 145mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 400mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok