Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI1035X-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1035X

SI1035X-T1-E3 Hakkında

SI1035X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-kanallı ve P-kanallı MOSFET'leri tek paket içinde birleştiren bu bileşen, 20V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kapı geriliminde (4.5V) güvenilir anahtarlama sağlar. 180mA ve 145mA süreklı drenaj akımları ile hafif ve orta güçlü uygulamalara uygundur. 250mW maksimum güç sınırlaması ile düşük güç tüketimli devreler için tasarlanmıştır. SOT-563 (SC-89) paket içinde küçük PCB alanına entegre edilebilir. Geniş işletme sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilmesini sağlar. Lojik devrelerde, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA, 145mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power - Max 250mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id 400mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok