Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1034X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
SI1034X-T1-E3 Hakkında
SI1034X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 180mA sürekli dren akımına sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5V gate geriliminde 5Ohm'luk düşük RDS(on) değerine ve 0.75nC gate charge'a sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen, 250mW maksimum güç tüketimine sahip bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları, elektrik sürücüleri ve taşınabilir cihazlarda kullanılır. SOT-563 (SC-89) surface mount pakete sahip olan bu transistör, halen kullanımda olan uygulamalarda düşük güçlü anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok