Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1029X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
SI1029X-T1-GE3 Hakkında
SI1029X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj ile tasarlanmış bu bileşen, 305mA (N-channel) ve 190mA (P-channel) sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, düşük gate şarj gereksinimi (0.75nC @ 4.5V) ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirir. 1.4Ω on-resistance değeri ile verimli enerji dağılımı sağlayan SI1029X, dijital kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve hızlı sinyal işleme sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, kompakt SC-89 (SOT-563) paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 305mA, 190mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok