Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1028X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
SI1028X-T1-GE3 Hakkında
SI1028X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir ve 10V gerilimde 2nC gate charge değerine sahiptir. SC89 (SOT-563) Surface Mount paketinde sunulan SI1028X, 500mA akımda 10V gerilimde 650mOhm on-direnci ile karakterizedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, portatif elektronik cihazlar, pil yönetim sistemleri, düşük güçlü anahtarlama uygulamaları ve kontrol devreleri gibi alanlarda yer bulur. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış durumdadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 220mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok