Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1026X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
SI1026X-T1-GE3 Hakkında
SI1026X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim uygulamalarında kontrol sinyalleriyle doğrudan çalışabilir. 60V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 305mA sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, motorlu kumanda sistemleri, LED sürücüleri ve DC-DC konverterler gibi uygulamalarda tercih edilir. SC-89 (SOT-563) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalara dayanıklılık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 305mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok