Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1026X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
SI1026X-T1-E3 Hakkında
SI1026X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 305mA sürekli drenaj akımı ile çalışmaktadır. SOT-563 (SC-89) paketinde sunulan bileşen, düşük 1.4Ω RDS(on) değeri sayesinde güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.5V gate threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyesi uyumludur. Anahtarlama uygulamaları, sürücü devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde tercih edilen bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 305mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok