Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
SI1025X-T1-GE3 Hakkında
SI1025X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 190mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 4Ω on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, sinyal yönlendirmede ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. SC-89 (SOT-563) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 250mW maksimum güç tüketimi ile enerji tasarrufu gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok