Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1025X-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
SI1025X-T1-E3 Hakkında
SI1025X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 190mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 250mW maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 4Ω on-resistance (10V, 500mA) ile verimli iletim sağlar. SOT-563 paketlemesi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok