Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
SI1024X-T1-GE3 Hakkında
SI1024X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajı ve 485mA sürekli drain akımında çalışır. 700mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. SC-89 (SOT-563) yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, batarya yönetim sistemleri, Power Management IC'ler ve portatif cihaz uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 485mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok