Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1023X-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
SI1023X-T1-E3 Hakkında
SI1023X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 370mA maksimum drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.2Ohm on-resistance değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. SOT-563 (SC-89) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 250mW maksimum güç tüketimindedir. Özellikle taşınabilir cihazlar, ses sistemleri ve düşük voltaj güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Daha düşük gate charge değeri (1.5nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok