Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1016X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
SI1016X-T1-GE3 Hakkında
SI1016X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET dizisidir. 20V Drain-Source voltaj ve 485mA (N-ch) / 370mA (P-ch) sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük giriş voltajlarında çalışabilir. 700mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunmaktadır. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 250mW güç derecelendirmesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde kullanılır. Küçük SC-89 (SOT-563) paketinde sunulan bileşen, sınırlı alan gerektiren tasarımlara uygun olup, hızlı anahtarlama ve düşük kapasitif yük (0.75nC) işlemleri için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 485mA, 370mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok