Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1016X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
SI1016X-T1-E3 Hakkında
SI1016X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltajında çalışan bu bileşen, logic level gate uygulaması sayesinde düşük voltajlı kontrol sinyalleriyle kullanılabilir. 485mA (N-channel) ve 370mA (P-channel) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-563 (SC-89) yüzey montajlı paketinde sunulan komponentin maksimum güç tüketimi 250mW olup, 700mOhm on-resistance değeriyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Portable cihazlar, güç yönetimi, sinyal anahtarlaması ve impedans eşleştirme devrelerinde kullanılan bu MOSFET dizisi, küçük PCB alanında iki kanal fonksiyonelliği sunar. (Not: Ürün durumu obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 485mA, 370mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok