Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI1016CX-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
SI1016CX-T1-GE3 Hakkında
SI1016CX-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual kanal N ve P-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu komponent, 20V drain-source gerilim değerine kadar çalışabilir. SC89 (SOT-563F) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, düşük gate charge (2nC @ 4.5V) ve düşük input capacitance (43pF @ 10V) karakteristiğine sahiptir. 396mΩ RDS(on) değeri ile 500mA akım seviyesinde verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve sinyal işleme sistemlerinde kullanılır. Düşük güç tüketimi (220mW maksimum) nedeniyle mobil ve taşınabilir cihazlar için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 220mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok