Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 Hakkında

SH8MA4TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N ve P-channel MOSFET dizi entegresidir. 30V Drain to Source voltajı ve 9A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu komponent, düşük on-resistance değerleri (21.4mΩ @ 9A) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında verimli çalışır. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan SH8MA4TB1, güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve analog switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 2W maksimum güç dağılımı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V, 19.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 15V, 890pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok