Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8MA3TB1

SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SH8MA3TB1

SH8MA3TB1 Hakkında

SH8MA3TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizi bileşenidir. 30V Drain-Source voltaj desteği ve düşük on-resistance karakteristiği ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 7A sürekli drain akımı kapasitesi, 28mOhm (7A, 10V) ile 50mOhm (6A, 10V) arasında değişen RDS(on) değerleri sunar. 2W maksimum güç yönetimi, 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklılık ve 8-SOP yüzey montajlı paket, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB uygulamaları için uygundur. Kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve portable elektronik cihazlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V, 480pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok