Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8M4TB1

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SH8M4TB1

SH8M4TB1 Hakkında

SH8M4TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual MOSFET entegresidir. N-channel ve P-channel transistörleri aynı pakette birleştirir. 30V drain-source voltaj desteği ile medium güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj lojik sinyalleriyle direkt kontrol edilebilir. 9A (N-channel) ve 7A (P-channel) sürekli drain akımı kapasitesi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. Düşük Rds(on) değeri (18mOhm @ 10V) enerji verimliliğini sağlar. 8-SOP yüzey montaj paketi, kompakt tasarımlar için uygundur. Tüketici elektroniği, solenoid denetleyicileri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok