Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8M14TB1

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SH8M14TB1

SH8M14TB1 Hakkında

SH8M14TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen tamamlayıcı N-kanal ve P-kanal MOSFET çiftinin yer aldığı bir dizi entegre devredir. 30V drain-source gerilim yeteneği ile 9A (N-kanal) ve 7A (P-kanal) sürekli drenaj akımını destekler. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 21mOhm Ron (on-state direnci) ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Surface mount SOP-8 pakajında sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç dönüştürme, anahtar devreler ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok