Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8M13GZETB
MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8M13GZETB
SH8M13GZETB Hakkında
SH8M13GZETB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen çift kanallı MOSFET dizisi olup, N ve P-Channel konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Maksimum 30V Drain-Source voltaj desteği ile 6A/7A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 29mOhm RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. 2.5V kapı eşik voltajı ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir ve 18nC gate charge karakteristiği ile enerji tasarrufu yapılır. Yüksek entegrasyon düzeyine sahip 8-SOP yüzey montajlı paket ile PCB alanı tasarrufu sağlar. Motor kontrolü, güç dağıtımı, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A, 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok